Архів новин.
Вибачте, надана інформація застаріла і доступна лише російською мовою.
Samsung Electronics сообщила о разработке 4-гигабитного модуля памяти DDR3 по 50-нанометровому техпроцессу
→ Опубліковано: 02.02.2009
Samsung Electronics сообщила о разработке первого 4-гигабитного модуля памяти формата DDR3, созданного по 50-нанометровому литографическому техпроцессу. Новый чип обладает вдвое более высокой плотностью компонентов в сравнении с предыдущими моделями.
В Samsung говорят, что в перспективе на базе 50-нм технологии компания планирует создавать чипы оперативной памяти емкостью до 32 гигабайт на один модуль.
"Разработка экономичного 4-гигабитного чипа открывает путь к производству нового поколения экономичных компьютеров и серверов, которые будут потреблять меньше электроэнергии, выполняя больше задач", - говорят в Samsung.
Напомним, что в сентябре компания сообщила о разработке первого в мире 50-нм 2-гигабитного чипа DDR3 DRAM. Теперь компания предлагает чипы, сделанные по данной технологии, емкостью 1,2 и 4 Гбита. По словам Кевина Ли, вице-президента Samsung Semiconductors, новые чипы имеют меньшую себестоимость, что позволит продавать разработки дешевле прежним моделей.
По данным исследовательской компании IDC, на максимально производительные чипы формата DDR3 приходится чуть менее трети рынка оперативной памяти DRAM, однако в 2011 году этот показатель вырастет до 75%. С технической точки зрения, пиковая производительность DDR3 достигает 1,6 Гбит/сек. При помощи сегодняшних производственных норм максимальная емкость одного модуля может достигать 16 Гбайт.
Новые разработки Samsung работают при напряжении 1,35 вольт, что на 20% ниже предыдущих 1,5-вольтных моделей.
По материалам cybersecurity.ru
В Samsung говорят, что в перспективе на базе 50-нм технологии компания планирует создавать чипы оперативной памяти емкостью до 32 гигабайт на один модуль.
"Разработка экономичного 4-гигабитного чипа открывает путь к производству нового поколения экономичных компьютеров и серверов, которые будут потреблять меньше электроэнергии, выполняя больше задач", - говорят в Samsung.
Напомним, что в сентябре компания сообщила о разработке первого в мире 50-нм 2-гигабитного чипа DDR3 DRAM. Теперь компания предлагает чипы, сделанные по данной технологии, емкостью 1,2 и 4 Гбита. По словам Кевина Ли, вице-президента Samsung Semiconductors, новые чипы имеют меньшую себестоимость, что позволит продавать разработки дешевле прежним моделей.
По данным исследовательской компании IDC, на максимально производительные чипы формата DDR3 приходится чуть менее трети рынка оперативной памяти DRAM, однако в 2011 году этот показатель вырастет до 75%. С технической точки зрения, пиковая производительность DDR3 достигает 1,6 Гбит/сек. При помощи сегодняшних производственных норм максимальная емкость одного модуля может достигать 16 Гбайт.
Новые разработки Samsung работают при напряжении 1,35 вольт, что на 20% ниже предыдущих 1,5-вольтных моделей.
По материалам cybersecurity.ru
↓ Ще новини |
| >>> |
